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HY62256BLLP-55

Standard SRAM, 32KX8, 55ns, CMOS, PDIP28, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP28,.6
针数
28
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
55 ns
其他特性
BATTERY BACKUP
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
长度
37 mm
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.826 mm
最大待机电流
0.000015 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
15.24 mm
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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