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HY628400LLP-70I

Standard SRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SK Hynix(海力士)

厂商官网:http://www.hynix.com/eng/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SK Hynix(海力士)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP32,.6
针数
32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
70 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T32
JESD-609代码
e0
长度
42.037 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
32
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP32,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.953 mm
最大待机电流
0.00003 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
15.24 mm
Base Number Matches
1
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