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HYR1612830G-745

Rambus DRAM Module, 128MX16, 2.06ns, CMOS, RIMM-184

器件类别：存储存储

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

Infineon(英飞凌)

零件包装代码

DMA

包装说明

DIMM, DIMM184,40

针数

184

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

访问模式

BLOCK ORIENTED PROTOCOL

最长访问时间

2.06 ns

其他特性

SELF CONTAINED REFRESH

最大时钟频率 (fCLK)

711 MHz

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-XDMA-N184

内存密度

2147483648 bit

内存集成电路类型

RAMBUS DRAM MODULE

内存宽度

16

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

184

字数

134217728 words

字数代码

128000000

工作模式

SYNCHRONOUS

组织

128MX16

输出特性

3-STATE

封装主体材料

UNSPECIFIED

封装代码

DIMM

封装等效代码

DIMM184,40

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

MICROELECTRONIC ASSEMBLY

电源

1.8/2.5,2.5 V

认证状态

Not Qualified

自我刷新

YES

最大供电电压 (Vsup)

2.63 V

最小供电电压 (Vsup)

2.37 V

标称供电电压 (Vsup)

2.5 V

表面贴装

NO

技术

CMOS

端子形式

NO LEAD

端子节距

1 mm

端子位置

DUAL

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