IBM0116180MT3-50,IBM0116180MT3-50 pdf中文资料,IBM0116180MT3-50引脚图,IBM0116180MT3-50电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IBM0116180MT3-50相近的元器件有：IBM0116180PT3-50、IBM0116180MT3-80、IBM0116180PT3-60、IBM0116180MT3-60、IBM0116180MT3-70、IBM0116180PT3-80、IBM0116180PT3-70。描述及对比如下：

型号	IBM0116180MT3-50	IBM0116180PT3-50	IBM0116180MT3-80	IBM0116180PT3-60	IBM0116180MT3-60	IBM0116180MT3-70	IBM0116180PT3-80	IBM0116180PT3-70
描述	Fast Page DRAM, 1MX18, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44	Fast Page DRAM, 1MX18, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44	Fast Page DRAM, 1MX18, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44	Fast Page DRAM, 1MX18, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44	Fast Page DRAM, 1MX18, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44	Fast Page DRAM, 1MX18, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44	Fast Page DRAM, 1MX18, 80ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44	Fast Page DRAM, 1MX18, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.825 INCH, TSOP2-50/44
厂商名称	IBM	IBM	IBM	IBM	IBM	IBM	IBM	IBM
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,	TSOP2,
针数	50	50	50	50	50	50	50	50
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE	FAST PAGE
最长访问时间	50 ns	50 ns	80 ns	60 ns	60 ns	70 ns	80 ns	70 ns
其他特性	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44	R-PDSO-G44
长度	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm	20.95 mm
内存密度	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit	18874368 bit
内存集成电路类型	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM	FAST PAGE DRAM
内存宽度	18	18	18	18	18	18	18	18
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	44	44	44	44	44	44	44	44
字数	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words	1048576 words
字数代码	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18	1MX18
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096	4096
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	3.6 V	5.5 V	3.6 V	5.5 V	5.5 V	3.6 V	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	3 V	4.5 V	3 V	4.5 V	4.5 V	3 V	3 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	3.3 V	5 V	3.3 V	5 V	5 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm	0.8 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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AFS系统步进电机控制和关键诊断

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盐城东方集团设立240亿产业基金，5300万恒安储能专项基金，支持锌溴液流电池

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华为新业务：帮助车企造出好车

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海信拟投入研发嵌入式AI处理器

eeworld网消息，据台湾电子时报报道，在上海国际物联网(IoT)大会上，海信信芯公司总经理钟声表示，海信正在围绕智能电视、智能家庭、智能交通产业，做相应的产品研发。未来要做出性价比较高、电视交互互动及辅助驾驶网络的相关产品。钟声指出，智能边缘化趋势明显，所谓的边缘化就是进入生活贴近人的交互应用。比如在家庭、汽车应用领域，低延时带来好的用户体验，通过边缘计算，信息并不上传云端，使用户隐私获得...[详细]
芯片设计如何跑赢汽车电子系统的安全性和可靠性竞赛？

随着环境问题在全球日益受到重视，各国政府陆续出台了越发严苛的排放标准。今年5月20日，在京发布的《中国传统燃油车退出时间表研究》报告也首次提出，中国有望于2050年以前实现传统燃油车的全面退出，其中一线城市私家车领域则将在2030前后完成这一目标。汽车电气化俨然已经成为全球汽车产业转型的重要方向。其实，随着时代的变化，汽车早已不仅仅是我们出行代步的工具。越来越多的软件和硬件被加入汽车当中，...[详细]
为碳化硅开辟新应用领域，英飞凌62mm CoolSiC™模块问市

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计，以及沟槽栅芯片技术，为碳化硅打开了250kW以上（硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限）中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上，将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能...[详细]
一文盘点各车企智驾“无图”方案

起源行业发展需求 2022年下半年可以认为高速城快的智驾问题已经基本解决，在智驾方面投入巨大的华为、小鹏发现高速城快用车占比小于15%，智驾不能称为消费者购车的决定性因素，也就不能给庞大的研发投入买单。为了进一步拓展智驾的适用范围，各家车企都将目光集中到了城区NOA，但是这个过程中面临了一个棘手的问题：城区高精地图的覆盖比例和鲜度远远不足！虽然国家看到了行业难...[详细]
Weebit Nano推出ReRAM模块符合车规级温度要求

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受美对华为升级制裁影响，联发科5纳米处理器暂停开发

美国对华为升级制裁的阴影之下，半导体产业链相关企业受到的波动再持续扩大。据Technews报道，近日市场传出，联发科预计在2021年为提供给华为所准备开发的5纳米制程处理器已经停止，等候未来的市场状况再来决定后续。消息来源指出，原本联发科预计提供给华为 Mate 系列旗舰智能手机使用的 5 纳米制程处理器，可能是天玑2000系列。在后来确认无法继续供货给华为的情况下，联发科也停止相关的开发。...[详细]
优化电源转换器控制回路的三种方案

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基于STM32的多种printf用法你都知道吗？

在调试代码的时候，最常用的就是使用printf函数来输出一些打印信息，提示自己代码的执行情况。如果你的UART串口不够用，还要用printf，此时该怎么办？方法其实是有的，那就是：使用SWO/SWV。 SWO：Serial Wire Output，串行线输出 SWD：Serial Wire Viewer，串行线查看器一、常见printf输出 1.UART打印这种使用UART串...[详细]
苹果索尼诺基亚在列这里有50款影响时代的产品

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随着电子技术的飞速发展，电子设备同时也朝着功能集成化，体积小型化方向发展，这给我们带来诸多的便利，但是各种电子设备之间的电磁耦合也成了工程师们面对的主要问题。电子环境污染的危害性不亚于传统的环境污染。而电磁污染作为环境污染的一部分也被提上了议程。本文简单介绍了一种围绕电源本身在进行整机电磁兼容设计时所需要注意的技术问题以及设计的思路方法。引言：随着电子技术的飞速发展，电子设备同时也朝着功...[详细]
王曦院士：SOI技术成长不易，感谢联盟大力支持

2018年9月18日，一年一度的上海FD-SOI论坛在上海准时举行，本次大会由SOI产业联盟、芯原控股有限公司、上海新傲科技股份有限公司、中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合主办。在大会的主题发言环节中，中国科学院院士、中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦发表了开幕致辞。中国科学院院士、中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长王曦王曦首先肯定了这几年间上海FD-SO...[详细]