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IDT6116SA19TP

Standard SRAM, 2KX8, 19ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, THIN, PLASTIC, DIP-24

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP,
针数
24
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
19 ns
JESD-30 代码
R-PDIP-T24
JESD-609代码
e0
长度
31.6865 mm
内存密度
16384 bi
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
2048 words
字数代码
2000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
2KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
4.191 mm
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
7.62 mm
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器件捷径:
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