IDT70M74L45G,IDT70M74L45G pdf中文资料,IDT70M74L45G引脚图,IDT70M74L45G电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IDT70M74L45G相近的元器件有：IDT70M74L45GB、IDT70M74L35GB、IDT70M74L35G、IDT70M74L30G、IDT70M74L30GB。描述及对比如下：

型号	IDT70M74L45G	IDT70M74L45GB	IDT70M74L35GB	IDT70M74L35G	IDT70M74L30G	IDT70M74L30GB
描述	SRAM Module, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	SRAM Module, 4KX16, 45ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	SRAM Module, 4KX16, 35ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	SRAM Module, 4KX16, 35ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	SRAM Module, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	SRAM Module, 4KX16, 30ns, CMOS, CPGA180, HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA
包装说明	HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180	HERMETIC SEALED, CERAMIC, PGA-180
针数	180	180	180	180	180	180
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	3A001.A.2.C	3A001.A.2.C	EAR99	EAR99	3A001.A.2.C
最长访问时间	45 ns	45 ns	35 ns	35 ns	30 ns	30 ns
其他特性	BATTERY BACK-UP	BATTERY BACK-UP	BATTERY BACK-UP	BATTERY BACK-UP	BATTERY BACK-UP	BATTERY BACK-UP
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-CPGA-P180	S-CPGA-P180	S-CPGA-P180	S-CPGA-P180	S-CPGA-P180	S-CPGA-P180
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm
内存密度	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit	65536 bit
内存集成电路类型	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE	SRAM MODULE
内存宽度	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	4	4	4	4	4	4
端子数量	180	180	180	180	180	180
字数	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words	4096 words
字数代码	4000	4000	4000	4000	4000	4000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C	125 °C
组织	4KX16	4KX16	4KX16	4KX16	4KX16	4KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA	PGA
封装等效代码	PGA180(UNSPEC)	PGA180(UNSPEC)	PGA180(UNSPEC)	PGA180(UNSPEC)	PGA180(UNSPEC)	PGA180(UNSPEC)
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	260	225	225	260	260	225
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.0024 A	0.0072 A	0.0072 A	0.0024 A	0.0024 A	0.0072 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	1.32 mA	1.56 mA	1.58 mA	1.34 mA	1.36 mA	1.6 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR	PERPENDICULAR
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	30	30	30	30
宽度	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm	40.64 mm
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	-

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伊顿的新型3伏超级电容器储存更多电能

美国加利福尼亚州PLEASANTON 从事动力管理技术的伊顿公司今天宣布推出新的3伏TV系列超级电容器，与2.7伏超级电容器相比，它的储能容量和功率提高了百分之二十。无论是与电池一起使用还是作为取代电池的独立电源，TV系列超级电容器能够减轻对维护的要求，为要求非常可靠的后备电源、脉冲功率或电压控制提供了一个使用寿命更长和效益更好的储能方案。伊顿的超级电容器提高了储能容量，是行业中脉冲功率最大的，可...[详细]
MSP430的SBW下载的时候出现unknown devices 问题解决

MSP430的eZ-FET lite仿真器 TI公司提供的msp430开发板launchpad上有不同的仿真下载器，其中功能比较全的是开源的eZ-FET lite，这个仿真器提供的通信方式是SBW，它复用了器件上的R S T ‾ overline{RST} RST和 TEST 两个引脚分别作为SBWTDIO和SBWTCK 复位电路可以看到，复位电路中的电容C5大小只有1nf，这个电...[详细]
STM32串口通信-USART全面讲解

通用同步异步收发器(Universal Synchronous Asynchronous Receiver and Transmitter)是一个全双工的串行通信设备；UART(Universal Asynchronous Receiver and Transmitter)是在USART基础上裁掉了同步通信功能，只有异步通信。 USART满足外部设备对工业标准NRZ异步串行数据格式的要求，并...[详细]
基于Modbus的EPS应急电源监控系统的研究

　　1 引言　　随着环保和消防要求的提高，柴油发电机逐渐失去优势，而由于逆变技术的成熟发展，新型无公害、高可靠性、动力型的大型应急电源EPS(EmergencyPowerSupply)逐步成为代替柴油发电机组的“绿色电源”，目前已经在建筑领域得到大面积推广。同时，随着微处理器、计算机和数字通信技术的飞速发展，计算机控制已经扩展到了几乎所有的工业领域。将所有的功能集成于统一开放的平台上，通过人...[详细]
三星提前三个月启动P3生产线运营

集微网消息，市场近日传出，三星电子计划提前三个月运营平泽工厂P3生产线因应全球芯片短缺。据THE ELEC报道，三星电子供应商EcoPro HN的社长Yoon Seong-jin在周二的电话会议上表示，三星已要求该公司在今年12月之前提供过滤器产品，而不是之前约定的2022年初的截止日期。 Yoon Seong-jin称，由于近期的芯片短缺问题，三星电子计划提前三个月开始运营平泽工厂P3生产线...[详细]
基于下垂控制的微电网并网预同步控制策略

　　开关电源已经成为了我们电路设计当中的主角，甚至可以说已经成为了与行业发展密不可分的一部分。与传统线性电源相比，在某一输出功率点上线性电源的成本要高于开关电源，常见的开关电源可以分为两种，隔离与非隔离。　　在本篇文章当中，我们将主要对隔离式开关电源的拓扑形式进行探讨。所以在下面的文章当中，如果没有任何特殊的说明，文中提及的电源将均指隔离电源。隔离电源按照结构形式不同，可分为两大类：正激式和反...[详细]
新能源汽车到底是一场骗局还是启动下一轮牛市的领头羊

股票中的‘领头羊’这个概念来自于被喻做华尔街圣经的《股票大作手回忆录》一书。书中记录了主人公也就是作者本人，杰西.利物莫（Jesse Livermore），从一个美国穷苦家庭的泥腿子孩子，偶尔遇到了股票交易这种东西，从几美元开始自己交易到最后成为了拥有数亿美金的大鳄，彻底逆袭完爆巴特肥几条街的传奇故事。今天引出这个故事是想要告诉大家四件事： 1、这不是虚构故事，是真实存在的的一段传奇，从几美元...[详细]
液晶12864汉字显示程序及显示顺序正常的C语言程序

液晶12864显示汉字程序，经过调试发现，两个汉字行中间隔一行，为了达到不隔行的目的，我拆分开来，这样分4行分别显示，就达到了，代码虽然多，但简单，可以通过复制粘贴达到效果。以下为行行正确显示汉字的C程序，想显示什么，改掉那些初始字就可以了。 #include stdio.h #include math.h #include reg52.h #include string.h sbit ...[详细]
奔驰自动驾驶卡车车队上路测试，这次是从德国到荷兰

为了配合欧洲卡车车队挑战项目，奔驰派了三辆自动驾驶卡车从斯图加特开往鹿特丹。戴姆勒最近让旗下的三辆自动驾驶卡车上路了，而且安排它们从斯图加特前往鹿特丹的任务。戴姆勒此举既展示了自家的自动驾驶技术，而且实际上也是 European Truck Platooning Challenge（欧洲卡车车队挑战）的一部分——有利于加速自动驾驶技术在欧洲的前行。这...[详细]
真是祸不单行，意大利对华为变脸

屋漏偏逢连夜雨？最近一段时间，华为设备先后在美国、日本、加拿大、印度等国家遭遇“封杀”，另一方面，碍于美国，英国、巴西等国亦就华为问题悬而未决。而刚刚，国际电子商情从外媒获悉，在与美国会面后，又一欧洲国家“变脸”考虑禁用华为... 据意媒《共和报》报道，意大利正在考虑是否禁用华为5G设备。意大利迄今尚未听从美国政府的游说将华为排除在5G网络建设之外，该国政府没有立即对此发表评论。 ...[详细]
安吉星开创车载4G未来

上周CES中国首秀顺利落幕，安吉星在此次展会上首个推出车载4G LTE服务，并展示了全新配备On Star App应用的可穿戴设备等多项移动互联网创新科技，描绘出未来汽车互联生活方式的美好蓝图。安吉星在可穿戴设备上的应用通过尖端的信息集成技术，安吉星为中国用户提供了“预约服务”（进校上车辆保养，机票/酒店预订）、“车辆报警提示”、“紧急救援”、“安全保障”、...[详细]
小米65W GaN充电器方案来源于早前投资的纳微半导体

近日，小米集团和纳微（Navitas）半导体宣布，其GaNFast充电技术已被小米采用，用于旗舰产品小米10 Pro 智能手机。 GaNFast功率IC使用氮化镓（GaN），这是一种新的半导体材料，其运行速度比以前的硅（Si）电源芯片快100倍，因此仅需45分钟即可对小米10 Pro 进行0至100％的充电。小米65W GaN充电器Type-C 65W的核心器件采用的是纳微半导体的NV61...[详细]
AT89C52单片机的性能原理及应用解析

89C52是INTEL公司MCS-51系列单片机中基本的产品，它采用ATMEL公司可靠的CMOS工艺技术制造的高性能8位单片机，属于标准的MCS-51的HCMOS产品。它结合了CMOS的高速和高密度技术及CMOS的低功耗特征，它基于标准的MCS-51单片机体系结构和指令系统，属于89C51增强型单片机版本，集成了时钟输出和向上或向下计数器等更多的功能，适合于类似马达控制等应用场合。 A...[详细]
东芝：恪守电源设备承诺

东京--(美国商业资讯)--东芝公司(Toshiba)(TOKYO:6502)：电源设备为战略性产品，是分立器件部门的主推业务。在电源电子领域，东芝的重点放在MOSFET和IGBT的开发上，它们是保证高效稳定供电所不可或缺的设备，也是促进智能社区繁荣的先决条件。智能社区利用实时大数据实现高性能架构，可根据需求变动做出响应。有效利用能源和存储容量是工业应用领域一个迫在眉睫的问题，这些应用包...[详细]
【核芯观察】充电桩上下游产业梳理（二）

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