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IDT70V3389S6BFI

Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
BGA
包装说明
TFBGA, BGA208,17X17,32
针数
208
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
6 ns
其他特性
PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK)
83 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
S-PBGA-B208
JESD-609代码
e0
长度
15 mm
内存密度
1179648 bit
内存集成电路类型
DUAL-PORT SRAM
内存宽度
18
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
208
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64KX18
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装等效代码
BGA208,17X17,32
封装形状
SQUARE
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
2.5/3.3,3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.03 A
最小待机电流
3.15 V
最大压摆率
0.36 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.45 V
最小供电电压 (Vsup)
3.15 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
15 mm
参数对比
与IDT70V3389S6BFI相近的元器件有:IDT70V3389S6PRFI。描述及对比如下:
型号 IDT70V3389S6BFI IDT70V3389S6PRFI
描述 Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PBGA208, FINE PITCH, BGA-208 Dual-Port SRAM, 64KX18, 6ns, CMOS, PQFP128, PLASTIC, TQFP-128
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 BGA QFP
包装说明 TFBGA, BGA208,17X17,32 PLASTIC, TQFP-128
针数 208 128
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 6 ns 6 ns
其他特性 PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE
最大时钟频率 (fCLK) 83 MHz 83 MHz
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 S-PBGA-B208 R-PQFP-G128
JESD-609代码 e0 e0
长度 15 mm 20 mm
内存密度 1179648 bit 1179648 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 18 18
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端口数量 2 2
端子数量 208 128
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64KX18 64KX18
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA LFQFP
封装等效代码 BGA208,17X17,32 QFP128,.63X.87,20
封装形状 SQUARE RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 240
电源 2.5/3.3,3.3 V 2.5/3.3,3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 1.6 mm
最大待机电流 0.03 A 0.03 A
最小待机电流 3.15 V 3.15 V
最大压摆率 0.36 mA 0.36 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.45 V 3.45 V
最小供电电压 (Vsup) 3.15 V 3.15 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 BALL GULL WING
端子节距 0.8 mm 0.5 mm
端子位置 BOTTOM QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20
宽度 15 mm 14 mm
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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