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IDT71322L35P

Dual-Port SRAM, 2KX8, 35ns, CMOS, PDIP48, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
DIP
包装说明
0.600 INCH, PLASTIC, DIP-48
针数
48
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
35 ns
其他特性
BATTERY BACKUP OPERATION
JESD-30 代码
R-PDIP-T48
JESD-609代码
e0
长度
61.849 mm
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
DUAL-PORT SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
48
字数
2048 words
字数代码
2000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
2KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP48,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.0015 A
最小待机电流
2 V
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
宽度
15.24 mm
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