首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

IDT7132LA90CB

Multi-Port SRAM, 2KX8, 90ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
DIP
包装说明
0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数
48
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
90 ns
其他特性
AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-CDIP-T48
JESD-609代码
e0
长度
60.96 mm
内存密度
16384 bit
内存集成电路类型
MULTI-PORT SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
48
字数
2048 words
字数代码
2000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
2KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP48,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度
4.826 mm
最大待机电流
0.004 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
15.24 mm
文档预览
查看更多>
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消