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IDT7134LA35PG

Dual-Port SRAM, 4KX8, 35ns, CMOS, PDIP48, 0.550 X 2.430 INCH, 0.180 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, MS-011AD, DIP-48

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP48,.6
针数
48
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
35 ns
其他特性
AUTOMATIC POWER-DOWN; BATTERY BACKUP
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T48
JESD-609代码
e3
长度
61.849 mm
内存密度
32768 bit
内存集成电路类型
DUAL-PORT SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
48
字数
4096 words
字数代码
4000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP48,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.0015 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
MATTE TIN
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
15.24 mm
Base Number Matches
1
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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