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IDT7165L35TP

Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

器件类别：存储存储

厂商名称：IDT (Integrated Device Technology)

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参数预览

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

IDT (Integrated Device Technology)

零件包装代码

DIP

包装说明

0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

针数

28

Reach Compliance Code

not_compliant

ECCN代码

EAR99

最长访问时间

35 ns

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PDIP-T28

JESD-609代码

e0

长度

34.3535 mm

内存密度

65536 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

8

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

28

字数

8192 words

字数代码

8000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

8KX8

输出特性

3-STATE

可输出

YES

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

DIP

封装等效代码

DIP28,.3

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

PARALLEL

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

4.318 mm

最大待机电流

0.00006 A

最小待机电流

2 V

最大压摆率

0.13 mA

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

NO

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn85Pb15)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

宽度

7.62 mm

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