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IDT7165S35LB
Standard SRAM, 8KX8, 35ns, CMOS, CQCC32, LCC-32
器件类别:
存储
存储
厂商名称:
IDT (Integrated Device Technology)
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参数
预览
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
QFJ
包装说明
LCC-32
针数
32
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
3A001.A.2.C
最长访问时间
35 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-CQCC-N32
JESD-609代码
e0
长度
13.97 mm
内存密度
65536 bi
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
32
字数
8192 words
字数代码
8000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
8KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QCCN
封装等效代码
LCC32,.45X.55
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度
3.048 mm
最大待机电流
0.02 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
11.43 mm
文档预览
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