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IDT71V3558XSA200BG8

ZBT SRAM, 256KX18, 3.2ns, CMOS, PBGA119

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
Objectid
1104168356
包装说明
BGA, BGA119,7X17,50
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
3.2 ns
最大时钟频率 (fCLK)
200 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B119
JESD-609代码
e0
内存密度
4718592 bit
内存集成电路类型
ZBT SRAM
内存宽度
18
湿度敏感等级
3
端子数量
119
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX18
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
BGA
封装等效代码
BGA119,7X17,50
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.04 A
最小待机电流
3.14 V
最大压摆率
0.4 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
BALL
端子节距
1.27 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
20
文档预览
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