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IDT71V35781YS183BG

Cache SRAM, 256KX18, 3.3ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

器件类别：存储存储

厂商名称：IDT (Integrated Device Technology)

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

IDT (Integrated Device Technology)

零件包装代码

BGA

包装说明

BGA-119

针数

119

Reach Compliance Code

not_compliant

ECCN代码

3A991.B.2.A

最长访问时间

3.3 ns

其他特性

PIPELINED ARCHITECTURE

最大时钟频率 (fCLK)

183 MHz

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PBGA-B119

JESD-609代码

e0

长度

22 mm

内存密度

4718592 bit

内存集成电路类型

CACHE SRAM

内存宽度

18

湿度敏感等级

3

功能数量

1

端子数量

119

字数

262144 words

字数代码

256000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

256KX18

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

BGA

封装等效代码

BGA119,7X17,50

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

225

电源

3.3 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

2.36 mm

最大待机电流

0.03 A

最小待机电流

3.14 V

最大压摆率

0.34 mA

最大供电电压 (Vsup)

3.465 V

最小供电电压 (Vsup)

3.135 V

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn63Pb37)

端子形式

BALL

端子节距

1.27 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

30

宽度

14 mm

Base Number Matches

1

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