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IDT71V66603S100PF

ZBT SRAM, 256KX36, 5.33ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
QFP
包装说明
14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100
针数
100
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
5.33 ns
JESD-30 代码
R-PQFP-G100
JESD-609代码
e0
长度
20 mm
内存密度
9437184 bit
内存集成电路类型
ZBT SRAM
内存宽度
36
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
100
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256KX36
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LQFP
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
240
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)
3.465 V
最小供电电压 (Vsup)
3.135 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
20
宽度
14 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与IDT71V66603S100PF相近的元器件有:IDT71V66603S133BG、IDT71V66603S133PF、IDT71V66603S100BG、IDT71V66803S100PF、IDT71V66803S100BG、IDT71V66803S133PF、IDT71V66803S133BG。描述及对比如下:
型号 IDT71V66603S100PF IDT71V66603S133BG IDT71V66603S133PF IDT71V66603S100BG IDT71V66803S100PF IDT71V66803S100BG IDT71V66803S133PF IDT71V66803S133BG
描述 ZBT SRAM, 256KX36, 5.33ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 256KX36, 4.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 ZBT SRAM, 256KX36, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 256KX36, 5.33ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 4.5ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 ZBT SRAM, 512KX18, 5.33ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 ZBT SRAM, 512KX18, 5.33ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP BGA QFP BGA QFP BGA QFP BGA
包装说明 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 LQFP, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119 14 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119
针数 100 119 100 119 100 119 100 119
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A 3A991.B.2.A
最长访问时间 5.33 ns 4.5 ns 4.5 ns 5.33 ns 4.5 ns 4.5 ns 5.33 ns 5.33 ns
JESD-30 代码 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119 R-PQFP-G100 R-PBGA-B119
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 20 mm 22 mm 20 mm 22 mm 20 mm 22 mm 20 mm 22 mm
内存密度 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit 9437184 bit
内存集成电路类型 ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM ZBT SRAM
内存宽度 36 36 36 36 18 18 18 18
湿度敏感等级 3 3 3 3 3 3 3 3
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 100 119 100 119 100 119 100 119
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words 524288 words 524288 words 524288 words 524288 words
字数代码 256000 256000 256000 256000 512000 512000 512000 512000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX36 256KX36 256KX36 256KX36 512KX18 512KX18 512KX18 512KX18
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LQFP BGA LQFP BGA LQFP BGA LQFP BGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY FLATPACK, LOW PROFILE GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 225 240 225 240 225 240 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 3.5 mm 1.6 mm 3.5 mm 1.6 mm 3.5 mm 1.6 mm 3.5 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V 3.465 V
最小供电电压 (Vsup) 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V 3.135 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING BALL GULL WING BALL GULL WING BALL GULL WING BALL
端子节距 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm 0.65 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD BOTTOM QUAD BOTTOM QUAD BOTTOM QUAD BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20 20 20 20 20 20 20
宽度 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm 14 mm
热门器件
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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