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IDT7200S65J8

FIFO, 256X9, 65ns, Asynchronous, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:IDT (Integrated Device Technology)

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码
QFJ
包装说明
QCCJ,
针数
32
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
65 ns
其他特性
RETRANSMIT
周期时间
80 ns
JESD-30 代码
R-PQCC-J32
JESD-609代码
e0
内存密度
2304 bit
内存宽度
9
功能数量
1
端子数量
32
字数
256 words
字数代码
256
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
256X9
输出特性
3-STATE
可输出
NO
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QCCJ
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
认证状态
Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
TIN LEAD
端子形式
J BEND
端子位置
QUAD
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