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IMS1203A-25M

Standard SRAM, 4KX1, 25ns, CMOS, CDFP18,

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Inmos Corporation

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Inmos Corporation
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
25 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-XDFP-F18
JESD-609代码
e0
内存密度
4096 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
1
端子数量
18
字数
4096 words
字数代码
4000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-55 °C
组织
4KX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC
封装代码
DFP
封装等效代码
FL18,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK
并行/串行
PARALLEL
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
筛选级别
38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流
0.005 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.08 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
MILITARY
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
FLAT
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
文档预览
This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer
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参数对比
与IMS1203A-25M相近的元器件有:IMS1203S-25M、IMS1203S-45M、IMS1203S-35M。描述及对比如下:
型号 IMS1203A-25M IMS1203S-25M IMS1203S-45M IMS1203S-35M
描述 Standard SRAM, 4KX1, 25ns, CMOS, CDFP18, Standard SRAM, 4KX1, 25ns, CMOS, CDIP18, Standard SRAM, 4KX1, 45ns, CMOS, CDIP18, Standard SRAM, 4KX1, 35ns, CMOS, CDIP18,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Inmos Corporation Inmos Corporation Inmos Corporation Inmos Corporation
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
最长访问时间 25 ns 25 ns 45 ns 35 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XDFP-F18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18 R-XDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18
字数 4096 words 4096 words 4096 words 4096 words
字数代码 4000 4000 4000 4000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
组织 4KX1 4KX1 4KX1 4KX1
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC CERAMIC CERAMIC CERAMIC
封装代码 DFP DIP DIP DIP
封装等效代码 FL18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
电源 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
筛选级别 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B 38535Q/M;38534H;883B
最大待机电流 0.005 A 0.005 A 0.005 A 0.005 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.08 mA
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY MILITARY MILITARY
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 FLAT THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches - 1 1 1
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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