INA111AU/1KG4

High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85

器件类别：模拟混合信号IC 放大器电路

厂商名称：Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网：http://www.ti.com.cn/

器件标准： Rohs认证

敬请期待

器件参数

参数名称

属性值

Brand Name

Texas Instruments

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Texas Instruments(德州仪器)

零件包装代码

SOIC

包装说明

SOIC-16

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

Factory Lead Time

6 weeks

放大器类型

INSTRUMENTATION AMPLIFIER

最大平均偏置电流 (IIB)

0.00002 µA

标称带宽 (3dB)

2 MHz

最小共模抑制比

75 dB

最大输入失调电流 (IIO)

0.00001 µA

最大输入失调电压

6000 µV

JESD-30 代码

R-PDSO-G16

JESD-609代码

长度

10.3 mm

湿度敏感等级

负供电电压上限

-18 V

标称负供电电压 (Vsup)

-15 V

最大非线性

0.04%

功能数量

端子数量

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOP

封装等效代码

SOP16,.25

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

包装方法

峰值回流温度（摄氏度）

260

电源

+-15 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

2.65 mm

标称压摆率

17 V/us

最大压摆率

4.5 mA

供电电压上限

18 V

标称供电电压 (Vsup)

15 V

表面贴装

YES

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

端子形式

GULL WING

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

最大电压增益

10000

最小电压增益

标称电压增益

宽度

7.5 mm

Base Number Matches

参数对比

与INA111AU/1KG4相近的元器件有：INA111AU-1K、INA111AU-1KG4、INA111AU-1KE4、INA111AU/1K、INA111AU/1KE4、INA111。描述及对比如下：

型号	INA111AU/1KG4	INA111AU-1K	INA111AU-1KG4	INA111AU-1KE4	INA111AU/1K	INA111AU/1KE4	INA111
描述	High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85	Instrumentation Amplifiers High Speed FET-Input Instrumentation Amp	Instrumentation Amplifiers High Speed FET-Input Instrumentation Amp	Instrumentation Amplifiers High Speed FET-Input Instrumentation Amp	High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85	High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier 16-SOIC -40 to 85	INA111 High Speed FET-Input Instrumentation Amplifier