增益带宽积(GBP):- 放大器组数:1 运放类型:Instrumentation 各通道功耗:700uA 压摆率(SR):4 V/us 电源电压:4.5V ~ 36V, ±2.25V ~ 18V
器件标准:
敬请期待型号 | INA129UA/2K5 | INA128PAG4 |
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描述 | 增益带宽积(GBP):- 放大器组数:1 运放类型:Instrumentation 各通道功耗:700uA 压摆率(SR):4 V/us 电源电压:4.5V ~ 36V, ±2.25V ~ 18V | 增益带宽积(GBP):- 放大器组数:1 运放类型:Instrumentation 各通道功耗:700uA 压摆率(SR):4 V/us 电源电压:4.5V ~ 36V, ±2.25V ~ 18V |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
零件包装代码 | SOIC | DIP |
包装说明 | SOIC-8 | DIP-8 |
针数 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 0.005 µA | 0.01 µA |
标称带宽 (3dB) | 1.3 MHz | 1.3 MHz |
最小共模抑制比 | 73 dB | 73 dB |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.01 µA | 0.01 µA |
最大输入失调电压 | 1125 µV | 1125 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e4 | e4 |
长度 | 4.9 mm | 9.81 mm |
负供电电压上限 | -18 V | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V |
最大非线性 | 0.004% | 0.004% |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | DIP |
封装等效代码 | SOP8,.25 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm | 5.08 mm |
标称压摆率 | 4 V/us | 4 V/us |
最大压摆率 | 0.75 mA | 0.75 mA |
供电电压上限 | 18 V | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V |
表面贴装 | YES | NO |
技术 | BIPOLAR | BIPOLAR |
温度等级 | AUTOMOTIVE | INDUSTRIAL |
端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
最大电压增益 | 10000 | 10000 |
最小电压增益 | 1 | 1 |
标称电压增益 | 10 | 10 |
宽度 | 3.9 mm | 7.62 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 |