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IR180LM10CS05CBPBF

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:International Rectifier ( Infineon )

厂商官网:http://www.irf.com/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码
WAFER
包装说明
O-XUUC-N
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
应用
FAST RECOVERY
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
O-XUUC-N
元件数量
1
相数
1
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
ROUND
封装形式
UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
1000 V
最大反向恢复时间
0.5 µs
表面贴装
YES
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
40
文档预览
Bulletin I0125J 07/97
IR180LM..CS05CB SERIES
FAST RECOVERY DIODES
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Square 180 mils
4"
1000 and 1200 V
Glassivated MOAT
Reference IR Packaged Part:
20ETF Series
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
FM
V
RRM
Maximum Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage Range
Units
1350 mV
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
F
= 20 A
(1)
1000 and 1200 V T
J
= 25°C, I
RRM
= 100 µA
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
100% Al, (20 µm)
180 x 180 mils (4.57x4.57 mm) - see drawing
100 mm, with std. < 110 > flat
260 µm
45 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
1
IR180LM..CS05CB Series
Bulletin I0125J 07/97
Ordering Information Table
Device Code
IR
1
1
2
3
4
5
6
7
8
-
-
-
-
-
-
-
-
International Rectifier Device
Chip Dimension in Mils
180
2
L
3
M
4
12
5
C
6
S05
7
CB
8
Type of Device: L = Wire Bondable Fast Recovery Diode
Passivation Process: M = Glassivated MOAT
Voltage code: Code x 100 = V
RRM
Metallization: C = Aluminium (Anode) - Silver (Cathode)
Fast Recovery Type: S05 = 500 nsec
CB
= Probed Uncut Die (wafer in box)
Available Class
10 = 1000 V
12 = 1200 V
None = Probed Die in chip carrier
Outline Table
All dimensions are in microns
2
www.irf.com
IR180LM..CS05CB Series
Bulletin I0125J 07/97
Wafer Layout
TOP VIEW
N° 293 Basic Cells
All dimensions are in millimeters
www.irf.com
3
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参数对比
与IR180LM10CS05CBPBF相近的元器件有:IR180LM12CS05CBPBF、3KP20、IR180LM10CS05PBF。描述及对比如下:
型号 IR180LM10CS05CBPBF IR180LM12CS05CBPBF 3KP20 IR180LM10CS05PBF
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1200V V(RRM), Silicon, WAFER Transient Voltage Suppressor Diodes Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1000V V(RRM), Silicon, WAFER
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
零件包装代码 WAFER WAFER - WAFER
包装说明 O-XUUC-N O-XUUC-N - S-XUUC-N1
Reach Compliance Code compli compliant - compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
应用 FAST RECOVERY FAST RECOVERY - FAST RECOVERY
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XUUC-N O-XUUC-N - S-XUUC-N1
元件数量 1 1 - 1
相数 1 1 - 1
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND - SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP - UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1000 V 1200 V - 1000 V
最大反向恢复时间 0.5 µs 0.5 µs - 0.5 µs
表面贴装 YES YES - YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD - NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER - UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 40 40 - 40
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