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IR180SG12HCB

Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER

器件类别：模拟混合信号IC    触发装置   

厂商名称：International Rectifier （ Infineon ）

厂商官网：http://www.irf.com/

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码
WAFER
包装说明
UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
配置
SINGLE
最大直流栅极触发电流
45 mA
最大直流栅极触发电压
1.9 V
最大维持电流
150 mA
JESD-30 代码
O-XUUC-N
JESD-609代码
e0
元件数量
1
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
ROUND
封装形式
UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
重复峰值反向电压
1200 V
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
触发设备类型
SCR
Base Number Matches
1
文档预览
Bulletin I0203J 06/98
IR180SG..HCB SERIES
PHASE CONTROL THYRISTORS
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Square 180 mils
4"
600 and 1200 V
Glassivated MESA
Reference IR Packaged Part:
n. a.
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
TM
V
RRM
I
GT
V
GT
I
H
I
L
Maximum On-state Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Max. Required DC Gate Current to Trigger
Max. Required DC Gate Voltage to Trigger
Holding Current Range
Maximum Latching Current
Units
1.3 V
600 and 1200 V
45 mA
1.9 V
5 to 150 mA
400 mA
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
T
= 25 A
T
J
= 25°C, I
RRM
= 300 µA
(1)
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
T
J
= 25° C, anode supply = 6 V, resistive load
Anode supply = 6 V, resistive load
Anode supply = 6 V, resistive load
(1)
Nitrogen flow on die edge.
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
180 x 180 mils (see drawing)
100 mm, with std. < 100 > flat
350 µm ± 10 µm
130 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
1
IR180SG..HCB Series
Bulletin I0203J 06/98
Ordering Information Table
Device Code
IR
1
180
2
S
3
G
4
12
5
H
6
CB
7
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
International Rectifier Device
Chip Dimension in Mils
Type of Device: S = Solderable SCR
Passivation Process: G = Glassivated MESA
Available Class
Voltage code: Code x 100 = V
RRM
Metallization: H = Silver (Anode) - Silver (Cathode)
CB
= Probed Uncut Die (wafer in box)
06 = 600 V
12 = 1200 V
None = Probed Die in chip carrier
Outline Table
All dimensions are in millimeters
2
www.irf.com
IR180SG..HCB Series
Bulletin I0203J 06/98
Wafer Layout
TOP VIEW
N° 293 Basic Cells
All dimensions are in millimeters
www.irf.com
3
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参数对比
与IR180SG12HCB相近的元器件有：IR180SG06H、IR180SG06HCB、IR180SG12H。描述及对比如下：
型号 IR180SG12HCB IR180SG06H IR180SG06HCB IR180SG12H
描述 Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 600V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER Silicon Controlled Rectifier, 1200V V(RRM), 1 Element, 4 INCH, WAFER
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 WAFER WAFER WAFER WAFER
包装说明 UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N UNCASED CHIP, O-XUUC-N
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大直流栅极触发电流 45 mA 45 mA 45 mA 45 mA
最大直流栅极触发电压 1.9 V 1.9 V 1.9 V 1.9 V
最大维持电流 150 mA 150 mA 150 mA 150 mA
JESD-30 代码 O-XUUC-N O-XUUC-N O-XUUC-N O-XUUC-N
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
重复峰值反向电压 1200 V 600 V 600 V 1200 V
表面贴装 YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
触发设备类型 SCR SCR SCR SCR
MSP430F5438
1、输入寄存器 PxIN 当 I/O 管脚被配置为普通IO 口时，对应IO口的信号输入值表现为输入寄...
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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