型号
  • 型号
  • 关键词
首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

IR207DM16C

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：International Rectifier （ Infineon ）

厂商官网：http://www.irf.com/

下载文档
参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码
WAFER
包装说明
R-XUUC-N1
Reach Compliance Code
compli
ECCN代码
EAR99
应用
GENERAL PURPOSE
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1.15 V
JESD-30 代码
R-XUUC-N1
JESD-609代码
e0
元件数量
1
相数
1
端子数量
1
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）
NOT SPECIFIED
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
1600 V
表面贴装
YES
端子面层
TIN LEAD
端子形式
NO LEAD
端子位置
UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
文档预览
Bulletin I0140J 09/00
IR207DM16CCB
STANDARD RECOVERY DIODES
Junction Size:
Wafer Size:
V
RRM
Class:
Passivation Process:
Reference IR Packaged Part:
Rectangular 207 x 157 mils
4"
1600 V
Glassivated MOAT
20ETS Series
Major Ratings and Characteristics
Parameters
V
FM
V
RRM
Maximum Forward Voltage
Reverse Breakdown Voltage
Units
1.15 V
1600 V
(**)
Test Conditions
T
J
= 25°C, I
F
= 20 A
T
J
= 25°C, I
RRM
= 100 µA
(*)
(*)
Nitrogen flow on die edge.
(**)
Wafer and die Probe test clamped at 1200V to limit arcing.
1600V BV testable only in encapsulated packages
Mechanical Characteristics
Nominal Back Metal Composition, Thickness
Nominal Front Metal Composition, Thickness
Chip Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness
Maximum Width of Sawing Line
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Cr - Ni - Ag (1 KA - 4 KA - 6 KA)
100% Al, (20 µm)
207 x 157 mils (see drawing)
100 mm, with std. < 110 > flat
330 µm, ± 10 µm
45 µm
0.25 mm diameter minimum
See drawing
Storage in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
www.irf.com
1
IR207DM16CCB
Bulletin I0140J 09/00
Ordering Information Table
Device Code
IR
1
1
2
3
4
5
6
7
-
-
-
-
-
-
-
International Rectifier Device
Chip Dimension in Mils
207
2
D
3
M
4
16
5
C
6
CB
7
Type of Device: D = Wire Bondable Standard Recovery Diode
Passivation Process: M = Glassivated MOAT
Voltage code: Code x 100 = V
RRM
Metallization: C = Aluminium (Anode) - Silver (Cathode)
CB
= Probed Uncut Die (wafer in box)
None = Probed Die in chip carrier
Outline Table
All dimensions are in microns (mils)
2
www.irf.com
IR207DM16CCB
Bulletin I0140J 09/00
Wafer Layout
TOP VIEW
N° 304 Basic Cells
All dimensions are in millimeters
www.irf.com
3
查看更多>
参数对比
与IR207DM16C相近的元器件有：IR207DM16CCB。描述及对比如下：
型号 IR207DM16C IR207DM16CCB
描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1600V V(RRM), Silicon, WAFER
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 International Rectifier （ Infineon ） International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码 WAFER WAFER
包装说明 R-XUUC-N1 O-XUUC-N
Reach Compliance Code compli compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.15 V 1.15 V
JESD-30 代码 R-XUUC-N1 O-XUUC-N
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
相数 1 1
端子数量 1 1
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR ROUND
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 1600 V 1600 V
表面贴装 YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
热门器件
热门资源推荐
驱动钛丝（SMA）的可靠性设计（2） 不同厂家生产的钛丝有什么区别
PIC单片机控制的遥控防盗报警器电路 红外线探测报警器 使用ESP8266从NTP服务器获取时间并在OLED显示器上显示 开关电源的基本组成及工作原理 用NE555制作定时器 RS-485基础知识:处理空闲总线条件的两种常见方法 如何构建一个触摸传感器电路 如何调制IC555振荡器 基于ICL296的大电流开关稳压器电源电路 基于TDA2003的简单低功耗汽车立体声放大器电路
器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
需要登录后才可以下载。
登录取消