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IRF3000

MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
400 毫欧 @ 960mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
33nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
730pF @ 25V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
8-SO
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
参数对比
与IRF3000相近的元器件有:。描述及对比如下:
型号 IRF3000
描述 MOSFET N-CH 300V 1.6A 8-SOIC
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 300V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 400 毫欧 @ 960mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 33nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 730pF @ 25V
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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器件捷径:
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