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IRL3303STRL

MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK

器件类别：半导体    分立半导体   

厂商名称：Infineon(英飞凌)

厂商官网：http://www.infineon.com/

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参数 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
26 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
26nC @ 4.5V
Vgs（最大值）
±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
870pF @ 25V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
参数对比
与IRL3303STRL相近的元器件有：IRL3303STRR、IRL3303S、IRL3303L。描述及对比如下：
型号 IRL3303STRL IRL3303STRR IRL3303S IRL3303L
描述 MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK MOSFET N-CH 30V 38A TO-262
FET 类型 N 沟道 N 沟道 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物） MOSFET（金属氧化物） MOSFET（金属氧化物） MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V 30V 30V 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 38A（Tc） 38A（Tc） 38A（Tc） 38A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V 4.5V，10V 4.5V，10V 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 26 毫欧 @ 20A，10V 26 毫欧 @ 20A，10V 26 毫欧 @ 20A，10V 26 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 26nC @ 4.5V 26nC @ 4.5V 26nC @ 4.5V 26nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±16V ±16V ±16V ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 870pF @ 25V 870pF @ 25V 870pF @ 25V 870pF @ 25V
功率耗散（最大值） 3.8W（Ta），68W（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ） -55°C ~ 175°C（TJ） -55°C ~ 175°C（TJ） -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装 表面贴装 表面贴装 通孔
供应商器件封装 D2PAK D2PAK D2PAK TO-262
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
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