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IRLZ24NSTRR

MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Infineon(英飞凌)

厂商官网:http://www.infineon.com/

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器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
55V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
18A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
60 毫欧 @ 11A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
15nC @ 5V
Vgs(最大值)
±16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
480pF @ 25V
功率耗散(最大值)
3.8W(Ta),45W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
参数对比
与IRLZ24NSTRR相近的元器件有:IRLZ24NS、IRLZ24NL、IRLZ24NSTRL。描述及对比如下:
型号 IRLZ24NSTRR IRLZ24NS IRLZ24NL IRLZ24NSTRL
描述 MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK MOSFET N-CH 55V 18A TO-262 MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
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