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IS41C16100S-50KI

1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE

器件类别：存储存储

厂商名称：ISSI(芯成半导体)

厂商官网：http://www.issi.com/

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

包装说明

SOJ-42

Reach Compliance Code

compliant

访问模式

FAST PAGE WITH EDO

最长访问时间

50 ns

其他特性

RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN /SELF REFRESH

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PDSO-J42

JESD-609代码

e0

内存密度

16777216 bit

内存集成电路类型

EDO DRAM

内存宽度

16

功能数量

1

端口数量

1

端子数量

42

字数

1048576 words

字数代码

1000000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

1MX16

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

SOJ

封装等效代码

SOJ42,.44

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

认证状态

Not Qualified

刷新周期

1024

自我刷新

YES

最大待机电流

0.001 A

最大压摆率

0.16 mA

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

J BEND

端子位置

DUAL

Base Number Matches

1

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