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IS42S16100F-7TL

Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-50

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

器件标准:  

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IS42S16100F-7TL 在线购买

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器件:IS42S16100F-7TL

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2, TSOP50,.46,32
针数
50
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.5 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
143 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G50
JESD-609代码
e3
长度
20.95 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
16
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
50
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP50,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.002 A
最大压摆率
0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
宽度
10.16 mm
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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