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IS42S32200E-6BL-TR

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90

器件类别：存储存储

厂商名称：Integrated Silicon Solution ( ISSI )

器件标准： Rohs认证

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Integrated Silicon Solution ( ISSI )

Reach Compliance Code

compliant

最长访问时间

5.5 ns

最大时钟频率 (fCLK)

166 MHz

I/O 类型

COMMON

交错的突发长度

1,2,4,8

JESD-30 代码

R-PBGA-B90

内存密度

67108864 bit

内存集成电路类型

SYNCHRONOUS DRAM

内存宽度

端子数量

字数

2097152 words

字数代码

2000000

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

2MX32

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

FBGA

封装等效代码

BGA90,9X15,32

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, FINE PITCH

电源

3.3 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

4096

连续突发长度

1,2,4,8,FP

最大待机电流

0.002 A

最大压摆率

0.16 mA

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子形式

BALL

端子节距

0.8 mm

端子位置

BOTTOM

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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