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IS42SM32400E-6BLI

Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码
DSBGA
包装说明
TFBGA, BGA90,9X15,32
针数
90
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
166 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PBGA-B90
JESD-609代码
e1
长度
13 mm
内存密度
134217728 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
32
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
90
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
4MX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TFBGA
封装等效代码
BGA90,9X15,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.000015 A
最大压摆率
0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
10
宽度
8 mm
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