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IS43TR16512B-125KBLI-TR

动态随机存取存储器 8G, 1.5V, DDR3, 512Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA (10mm x 14mm) RoHS, IT, T&R

器件类别:半导体    存储器 IC    动态随机存取存储器   

厂商名称:ISSI(芯成半导体)

厂商官网:http://www.issi.com/

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器件:IS43TR16512B-125KBLI-TR

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
ISSI(芯成半导体)
产品种类
动态随机存取存储器
类型
SDRAM - DDR3
数据总线宽度
16 bit
组织
512 M x 16
封装 / 箱体
FBGA-96
存储容量
8 Gbit
最大时钟频率
800 MHz
访问时间
13.75 ns
电源电压-最大
1.575 V
电源电压-最小
1.425 V
电源电流—最大值
150 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 95 C
系列
IS43TR16512B
封装
Reel
安装风格
SMD/SMT
工厂包装数量
2000
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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