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IS49NLS18160-25EBLI

DDR DRAM, 16MX18, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ISSI(芯成半导体)

厂商官网:http://www.issi.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ISSI(芯成半导体)
零件包装代码
BGA
包装说明
TBGA, BGA144,12X18,40/32
针数
144
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
MULTI BANK PAGE BURST
最长访问时间
2.5 ns
其他特性
AUTO REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
400 MHz
I/O 类型
SEPARATE
交错的突发长度
2,4,8
JESD-30 代码
R-PBGA-B144
长度
18.5 mm
内存密度
301989888 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM
内存宽度
18
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
144
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
16MX18
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TBGA
封装等效代码
BGA144,12X18,40/32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, THIN PROFILE
电源
1.5/1.8,1.8,2.5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.053 A
最大压摆率
0.98 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.9 V
最小供电电压 (Vsup)
1.7 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
宽度
11 mm
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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