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IS61C81-L30N
Memory Circuit, 8KX8, CMOS, PDIP28
器件类别:
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厂商名称:
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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参数
预览
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
包装说明
DIP, DIP28,.3
Reach Compliance Code
not_compliant
最长访问时间
30 ns
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
65536 bit
内存集成电路类型
MEMORY CIRCUIT
内存宽度
8
端子数量
28
字数
8192 words
字数代码
8000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
Base Number Matches
1
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