IS61DDB251236A-250M3

DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165

器件类别：存储存储

厂商名称：Integrated Silicon Solution ( ISSI )

下载文档

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Integrated Silicon Solution ( ISSI )

零件包装代码

BGA

包装说明

LBGA, BGA165,11X15,40

针数

165

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

3A991.B.2.A

最长访问时间

0.45 ns

其他特性

PIPELINED ARCHITECTURE

最大时钟频率 (fCLK)

250 MHz

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PBGA-B165

JESD-609代码

长度

17 mm

内存密度

18874368 bit

内存集成电路类型

DDR SRAM

内存宽度

功能数量

端子数量

165

字数

524288 words

字数代码

512000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

512KX36

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

LBGA

封装等效代码

BGA165,11X15,40

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, LOW PROFILE

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

电源

1.5/1.8,1.8 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.4 mm

最大待机电流

0.27 A

最小待机电流

1.7 V

最大压摆率

0.55 mA

最大供电电压 (Vsup)

1.89 V

最小供电电压 (Vsup)

1.71 V

标称供电电压 (Vsup)

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

TIN LEAD

端子形式

BALL

端子节距

1 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

15 mm

Base Number Matches