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IS61DDPB251236A-500M3LI

DDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
BGA
包装说明
LBGA, BGA165,11X15,40
针数
165
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
0.45 ns
其他特性
PIPELINED ARCHITECTURE
最大时钟频率 (fCLK)
500 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
JESD-609代码
e1
长度
17 mm
内存密度
18874368 bit
内存集成电路类型
DDR SRAM
内存宽度
36
湿度敏感等级
3
功能数量
1
端子数量
165
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
512KX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最大待机电流
0.36 A
最大压摆率
0.96 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.89 V
最小供电电压 (Vsup)
1.71 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
TIN SILVER COPPER
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
10
宽度
15 mm
Base Number Matches
1
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