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IS61LPD25636D-133B

Cache SRAM, 256KX36, 4ns, CMOS, PBGA119, PLASTIC, BGA-119

器件类别：存储存储

厂商名称：Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Integrated Silicon Solution ( ISSI )

零件包装代码

BGA

包装说明

PLASTIC, BGA-119

针数

119

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

3A991.B.2.A

最长访问时间

4 ns

最大时钟频率 (fCLK)

133 MHz

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PBGA-B119

JESD-609代码

e0

长度

22 mm

内存密度

9437184 bit

内存集成电路类型

CACHE SRAM

内存宽度

36

功能数量

1

端子数量

119

字数

262144 words

字数代码

256000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

256KX36

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

BGA

封装等效代码

BGA119,7X17,50

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

240

电源

2.5/3.3,3.3 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

2.41 mm

最小待机电流

3.14 V

最大压摆率

0.35 mA

最大供电电压 (Vsup)

3.63 V

最小供电电压 (Vsup)

3.135 V

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

BALL

端子节距

1.27 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

30

宽度

14 mm

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00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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