32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28
32K × 8 标准存储器, 10 ns, PDSO28
器件类别:存储
厂商名称:ISSI(芯成半导体)
厂商官网:http://www.issi.com/
下载文档型号 | IS61LV256AL-10T | IS61LV256AL | IS61LV256AL-10J | IS61LV256AL-10TI | IS61LV256AL-10JI | IS61LV256AL-10JL |
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描述 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 | 32K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, PDSO28 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 | 28 |
最大工作温度 | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel | 85 Cel |
最小工作温度 | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel | -40 Cel |
最大供电/工作电压 | 3.63 V | 3.63 V | 3.63 V | 3.63 V | 3.63 V | 3.63 V |
最小供电/工作电压 | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V | 3.14 V |
额定供电电压 | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
最大存取时间 | 10 ns | 10 ns | 10 ns | 10 ns | 10 ns | 10 ns |
加工封装描述 | 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 | 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 | 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 | 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 | 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 | 8 × 13.40 MM, 铅 FREE, MO-183, TSOP1-28 |
无铅 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE | ACTIVE |
工艺 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
表面贴装 | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes | Yes |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子间距 | 0.5500 mm | 0.5500 mm | 0.5500 mm | 0.5500 mm | 0.5500 mm | 0.5500 mm |
端子涂层 | MATTE 锡 | MATTE 锡 | MATTE 锡 | MATTE 锡 | MATTE 锡 | MATTE 锡 |
端子位置 | 双 | 双 | 双 | 双 | 双 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
组织 | 32K × 8 | 32K × 8 | 32K × 8 | 32K × 8 | 32K × 8 | 32K × 8 |
存储密度 | 262144 deg | 262144 deg | 262144 deg | 262144 deg | 262144 deg | 262144 deg |
操作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
内存IC类型 | 标准存储器 | 标准存储器 | 标准存储器 | 标准存储器 | 标准存储器 | 标准存储器 |
串行并行 | 并行 | 并行 | 并行 | 并行 | 并行 | 并行 |
位数 | 32K | 32K | 32K | 32K | 32K | 32K |