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IS61QDP2B41M36A2-450M3L

QDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
包装说明
LBGA, BGA165,11X15,40
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)
450 MHz
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PBGA-B165
长度
17 mm
内存密度
37748736 bit
内存集成电路类型
QDR SRAM
内存宽度
36
功能数量
1
端子数量
165
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LBGA
封装等效代码
BGA165,11X15,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
电源
1.5/1.8,1.8 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最大待机电流
0.38 A
最小待机电流
1.7 V
最大压摆率
1.3 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.89 V
最小供电电压 (Vsup)
1.71 V
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
BALL
端子节距
1 mm
端子位置
BOTTOM
宽度
15 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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