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IS61QDPB44M18B2-500M3

QDR SRAM, 4MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LFBGA-165

厂商名称：ISSI(芯成半导体)

厂商官网：http://www.issi.com/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

Objectid

8065717188

包装说明

LBGA,

Reach Compliance Code

unknown

Country Of Origin

Mainland China, Taiwan

ECCN代码

3A991.B.2.A

YTEOL

6.8

最长访问时间

0.45 ns

JESD-30 代码

R-PBGA-B165

长度

17 mm

内存密度

75497472 bit

内存集成电路类型

QDR SRAM

内存宽度

功能数量

端子数量

165

字数

4194304 words

字数代码

4000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

4MX18

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

LBGA

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, LOW PROFILE

并行/串行

PARALLEL

座面最大高度

1.4 mm

最大供电电压 (Vsup)

1.89 V

最小供电电压 (Vsup)

1.71 V

标称供电电压 (Vsup)

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子形式

BALL

端子节距

1 mm

端子位置

BOTTOM

宽度

15 mm

热门器件

光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 CCFL的工作原理及电子驱动电路解析 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式基于M66T旋律发生器的电路图解析一个简单的红外耳机电路基于CA3193的热电偶放大器电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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