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IS61SF25636T-8.5TQI

Cache SRAM, 256KX36, 8.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码
QFP
包装说明
TQFP-100
针数
100
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
8.5 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PQFP-G100
JESD-609代码
e0
长度
20 mm
内存密度
9437184 bit
内存集成电路类型
CACHE SRAM
内存宽度
36
功能数量
1
端子数量
100
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256KX36
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LQFP
封装等效代码
QFP100,.63X.87
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.6 mm
最大待机电流
0.03 A
最小待机电流
3.14 V
最大压摆率
0.4 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.63 V
最小供电电压 (Vsup)
3.135 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.65 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
14 mm
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