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IS71V16F32BS08-8570BI

Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-73

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Integrated Silicon Solution ( ISSI )

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码
BGA
包装说明
8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, MINI, BGA-73
针数
73
Reach Compliance Code
compliant
最长访问时间
85 ns
其他特性
ALSO CONTAINS 512K X 16/1M X 8 SRAM
JESD-30 代码
R-PBGA-B73
JESD-609代码
e0
长度
11.6 mm
内存密度
33554432 bit
内存集成电路类型
MEMORY CIRCUIT
内存宽度
16
混合内存类型
FLASH+SRAM
功能数量
1
端子数量
73
字数
2097152 words
字数代码
2000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
2MX16
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
LFBGA
封装等效代码
BGA73,10X12,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.4 mm
最大待机电流
0.000005 A
最大压摆率
0.053 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.3 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
8 mm
Base Number Matches
1
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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