IS93C66A-3PLI,IS93C66A-3PLI pdf中文资料,IS93C66A-3PLI引脚图,IS93C66A-3PLI电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与IS93C66A-3PLI相近的元器件有：IS93C66A-3PA3、IS93C56A-3PLI、IS93C56A-3GRLI、IS93C56A-3PA3、IS93C66A-3GRA3、IS93C66A-3GRLI、IS93C56A-3ZA3、IS93C56A-3GRA3、IS93C66A-3ZA3。描述及对比如下：

型号	IS93C66A-3PLI	IS93C66A-3PA3	IS93C56A-3PLI	IS93C56A-3GRLI	IS93C56A-3PA3	IS93C66A-3GRA3	IS93C66A-3GRLI	IS93C56A-3ZA3	IS93C56A-3GRA3	IS93C66A-3ZA3
描述	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, DIP-8	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, LEAD FREE, SOIC-8	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.169 INCH, TSSOP-8	EEPROM, 128X16, Serial, CMOS, PDSO8, SOIC-8	EEPROM, 256X16, Serial, CMOS, PDSO8, 0.169 INCH, TSSOP-8
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	含铅	不含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	不符合	不符合	符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	SOIC	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC	SOIC
包装说明	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3	DIP, DIP8,.3	SOP, SOP8,.25	0.300 INCH, PLASTIC, DIP-8	SOIC-8	SOP, SOP8,.25	0.169 INCH, TSSOP-8	SOIC-8	0.169 INCH, TSSOP-8
针数	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	compliant	unknown	unknown	compliant	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
备用内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
最大时钟频率 (fCLK)	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz	2 MHz
数据保留时间-最小值	100	100	40	40	40	100	100	40	40	100
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e3	e0	e3	e3	e0	e0	e3	e0	e0	e0
内存密度	4096 bit	4096 bit	2048 bit	2048 bit	2048 bit	4096 bit	4096 bit	2048 bit	2048 bit	4096 bit
内存集成电路类型	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16	16	16	16
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
字数	256 words	256 words	128 words	128 words	128 words	256 words	256 words	128 words	128 words	256 words
字数代码	256	256	128	128	128	256	256	128	128	256
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	125 °C	85 °C	85 °C	125 °C	125 °C	85 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
组织	256X16	256X16	128X16	128X16	128X16	256X16	256X16	128X16	128X16	256X16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	SOP	DIP	SOP	SOP	TSSOP	SOP	TSSOP
封装等效代码	DIP8,.3	DIP8,.3	DIP8,.3	SOP8,.25	DIP8,.3	SOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	240	260	NOT SPECIFIED	240	NOT SPECIFIED
电源	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V	3/5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
串行总线类型	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE	MICROWIRE
最大待机电流	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A	0.000002 A
最大压摆率	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA	0.002 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	YES	NO	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	INDUSTRIAL	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE	AUTOMOTIVE
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn) - annealed	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	1.27 mm	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	1.27 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40	NOT SPECIFIED	40	40	NOT SPECIFIED	30	40	NOT SPECIFIED	30	NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms	5 ms
写保护	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE	SOFTWARE
长度	9.3218 mm	9.3218 mm	9.3218 mm	-	9.3218 mm	-	-	4.4 mm	-	4.4 mm
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	-	3	1	-	1
座面最大高度	4.57 mm	4.57 mm	4.57 mm	-	4.57 mm	-	-	1.2 mm	-	1.2 mm
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	-	7.62 mm	-	-	3 mm	-	3 mm

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【翌创ET6001测评】W25X读写测试: 翌创ET6001开发板提供了对NorFlash存储器件的读写功能，所支持的芯片为W25X40。 ...; jinglixixi 国产芯片交流

争取AI类脑南方中心上海将打造全球AI高地

本报记者姚建莉实习生徐凯文吴佳宝上海报道 8月30日，“2017全球（上海）人工智能创新峰会”召开，上海市常务副市长周波在会上提出，上海将打造全球人工智能发展高地。周波表示，近期国家正在建设人工智能类脑中心，其南方中心将设在上海，下一步上海还将组建面向全球的人工智能战略专家咨询委员会等。同一天，上海（徐汇）人工智能发展产业集聚区正式启动，位于毗邻黄浦江畔的徐汇滨江。在徐汇这个上海老...[详细]
网络视频服务器四大特色及应用分析

随着互联网的普及和网络环境的提升，网络视频监控得到飞速发展，监控的网络化已经成为安防行业发展的趋势，对于网络视频监控而言，视频服务器是整个体统中重要组成部分，为模拟视频的网络传输提供了核心硬件。网络视频服务器特色网络视频服务器(网络视频服务器的定义)内部主要包括三个模块：图像采集、图像压缩，网络传输。图像采集模块实现视频信号的a/d转换;图像压缩模块以某种压缩编码标准实现对数...[详细]
iPhone 8价格已破发！苹果无奈只能减产

由于iPhone 8的表现不给力，苹果的股价再一次出现了较大的跌幅。　　在本周三的交易中，苹果股价一度下跌了3.1%，创下自8月10日以来的最高跌幅。好在随后收盘前出现了小幅上涨，最终在收盘时下跌1.68%。　　为什么会出现这样的原因么？显然这个锅是要交给iPhone 8的去背的。虽然iPhone 8在硬件方面的升级令人满意，但自iPhone 6以来几乎不变的外观真的让人失望透顶，只...[详细]
中兴通讯：2021年公司手机没计划用华为鸿蒙系统

据同花顺金融研究中心报道，近期有投资者向中兴通讯（000063）提问，有报道说中兴的制造和销售手机业务这几年每况愈下，想问的是中兴手机 2021 年是否有计划采用鸿蒙操作系统来重振中兴手机？中兴公司分拆子公司科创版上市的进展如何？　　中兴通讯公司回答表示：感谢您的关注。2021 年，公司基于自身技术实力，努力把握 5G 换机窗口期，统一运作中兴、努比亚、红魔三大手机品牌，全面展开运营...[详细]
汽车防抱死制动系统(ABS)检修要点

由于道路、气候、交通管理和驾驶素质等交通环境的影响，汽车行驶中须常制动和紧急制动，紧急情况下猛踩制动后，制动力立即达到最大，并使车轮抱死。如果前轮先抱死，则转向失灵；若后轮先抱死，则汽车易发生侧滑或甩尾。 ABS是现代汽车用来防止在制动时车轮被抱死，并使汽车具有稳定性的一种电子控制装置。在一些国家，防抱死制动系统已成为汽车的标准装备，尤其在欧美及日本生产的轿车上，都设计安装了防抱死制动系统（...[详细]
MSP430驱动OV7670摄像头的程序和注意事项

再用MSP430 调试摄像头时，其实按照网上给的步骤完全可以实现，只是我们很少注意一些细节上的问题，导致最终效果出不来，看着液晶屏上要么一直一种颜色，要么就是乱码，要么就是只有物体轮廓，我感觉后两种情况还算好吧，至少离成功不远了。 1、一般带FIFO的摄像头模块引脚一般在18-22个之间，但有的引脚是一般不用接，比如行扫描同步信号，还有闪光灯，还有低功耗之类的，这些不用在意，接线极其重...[详细]
2440/6410+minitools+superboot烧写裸机新方法！

1.对于6410：首先制作启动SD卡，注意选择superboot为支持minitools。对于2440：首先把superboot下载到nor flash，使用jlink、H-JTAG、OPENJTAG、oflash等工具。请自己看教程。 2.安装minitools，适合xp、win7、win8的32位和64位。 3.设置板子启动为nor flash或SDBOOT启动模式...[详细]
变频器对电机的损伤问题如何预防？

尽管变频器损伤电机的现象越来越被人们所关注，但是人们对造成这种现象的机理还不清楚，更不知道如何来预防。 1、变频器对电机的损伤变频器对电机的损伤包括两个方面，定子绕组的损伤和轴承的损伤。这种损伤一般发生在几周至十几个月内，具体时间与变频器的品牌、电机的品牌、电机的功率、变频器的载波频率、变频器与电机之间的电缆长度、环境温度等诸多因素有关。电机的早期意外损坏给企业的生产带来巨大的经济损失。这种...[详细]
全新英特尔®酷睿TM i7处理器至尊版中国首发

2014年9月19日，中国北京——今日，英特尔公司在北京798圣点空间面向有极限需求的电脑用户发布了首款八核桌面处理器——全新英特尔® 酷睿™i7-5960X处理器至尊版（研发代码为“Haswell-E”），为渴望进一步提升电脑系统性能的发烧友和骨灰级玩家提供他们所需的运算速度、核心性能、超频表现和平台功能，开启了英特尔“重塑桌面计算”的新阶段。此次发布的全新英特尔®酷睿™ i7-596...[详细]
诺基亚卖掉奢侈手机品牌Vertu　

诺基亚今日宣布，已完成出售奢侈品手机品牌Vertu交易。今年6月，诺基亚与北欧私募股权公司EQT VI达成协议，将奢侈品手机品牌Vertu出售给EQT VI。协议规定，诺基亚将Vertu 90%的股份出售给EQT VI，而保留剩余10%的股份。 Vertu是诺基亚1998年成立的全球第一家奢侈手机公司，总部设在英国，其员工约1000 ...[详细]
离开人工智能，工业机器人登上大舞台纯属做梦？

近日，“机器人与智能制造高端论坛”在合肥工业大学召开，来自全国各地的机器人专家和制造业精英汇聚一堂，探讨机器人与智能制造如何造通过深度融合，助力合肥市打造机器人产业聚集区、实现机器人技术与产业创新跨越。三十年积累，实现从小到大智能制造把制造自动化的概念扩展到更加柔性化、智能化和高度集成化。而机器人是高端智能装备的代表，被喻为“制造业皇冠顶端的明珠”。机器人替代人工生产是未来制造...[详细]
努比亚倪飞专访：三年之后，百分之百的全面屏将出现

今年是努比亚品牌成立的第五个年头，脱胎于中兴，起跑于互联网品牌最红火的岁月。如今这家品牌正在面临来自“线上转移线下”的挑战。在Z17S发布当天，努比亚品牌总经理倪飞接受了我们的采访。　　一、纯线上品牌的转型故事：　　从线上转移线下，这是互联网品牌必须经历的一关。时间换到2016，小米在那一年销量吃的亏也来自这一方面，如今努比亚同样处在这个阶段。作为纯线上品牌，这个转型似乎来得有些晚；...[详细]
少被人提的时钟芯片市场：日本超强，美国不容忽视

在去年，我们采访了主要时钟芯片公司。报道了随着5G通信的高频化、汽车的电动化、IoT进化带来的用途展开的多样化，高精度的频率控制、最适合定时的有规律的基准信号控制等，其需求的提高，时钟芯片的存在感增加。从连载结束后到现在，围绕着这个“时钟设备”内容，看到了各时钟芯片公司增强投资的新闻。并且基于MEMS时钟芯片的阵营在不断地技术改善的同时，捕捉到了发起正式攻势的机会。这次的内容要比之前连载主...[详细]
工业和信息化部办公厅关于印发《锂离子电池综合标准化技术体系》的通知

各省、自治区、直辖市及计划单列市工业和信息化主管部门，相关行业协会、标准化机构和技术组织：　　为促进锂离子电池产业的健康有序发展，进一步提升标准对产业发展的指导、规范和引领作用，我部组织相关单位、标准化机构和技术组织等制定了《锂离子电池综合标准化技术体系》。现印发给你们，请在标准化工作中贯彻执行。　　联系电话：010-68205241 　　附件：锂离子电池综合标准化技术体系 ...[详细]
如何使用串口来给GD32烧写程序

话说本人使用的是GD32F103VCT6(或GD32F103VET6)，采用SWD烧写的方式，确实一直用的好好的。但是，量产的多少，总会出现一些意想不到的情况，比如引出SWD烧写口的焊盘脱落了，或者因为静电等原因造成SWD无法烧录，又或者是出现“Programming error@:0x00000000”的情况。这个时候，只是一味地采用SWD烧写的方式，就有点无能为力了。众所周知，可以使用...[详细]