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ISL6608CR

4A HALF BRDG BASED MOSFET DRIVER, PQCC8, 3 X 3 MM, PLASTIC, MO-220VEEC, QFN-8

器件类别：模拟混合信号IC 驱动程序和接口

厂商名称：Renesas(瑞萨电子)

厂商官网：https://www.renesas.com/

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

Renesas(瑞萨电子)

零件包装代码

QFN

包装说明

HVQCCN, LCC8,.12SQ,25

针数

8

Reach Compliance Code

_compli

ECCN代码

EAR99

高边驱动器

YES

接口集成电路类型

HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER

JESD-30 代码

S-PQCC-N8

JESD-609代码

e0

长度

3 mm

湿度敏感等级

1

功能数量

1

端子数量

8

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

标称输出峰值电流

4 A

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

HVQCCN

封装等效代码

LCC8,.12SQ,25

封装形状

SQUARE

封装形式

CHIP CARRIER, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

峰值回流温度（摄氏度）

240

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1 mm

最大供电电压

5.5 V

最小供电电压

4.5 V

标称供电电压

5 V

表面贴装

YES

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

NO LEAD

端子节距

0.65 mm

端子位置

QUAD

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

3 mm

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器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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