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IXFB120N50P2

120 A, 500 V, 0.043 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
120 A, 500 V, 0.043 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：IXYS ( Littelfuse )

厂商官网：http://www.ixys.com/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

端子数量

最小击穿电压

500 V

加工封装描述

PLASTIC, PLUS264, 3 PIN

状态

ACTIVE

包装形状

RECTANGULAR

包装尺寸

IN-LINE

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

包装材料

PLASTIC/EPOXY

结构

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

壳体连接

DRAIN

元件数量

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

通道类型

N-CHANNEL

场效应晶体管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

操作模式

ENHANCEMENT

晶体管类型

GENERAL PURPOSE POWER

最大漏电流

120 A

额定雪崩能量

4000 mJ

最大漏极导通电阻

0.0430 ohm

最大漏电流脉冲

300 A

热门器件

光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 CCFL的工作原理及电子驱动电路解析 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式基于M66T旋律发生器的电路图解析一个简单的红外耳机电路基于CA3193的热电偶放大器电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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