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IXFK90N60X

MOSFET N-CH 600V 90A TO-264

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:IXYS ( Littelfuse )

厂商官网:http://www.ixys.com/

器件标准:

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器件:IXFK90N60X

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器件参数
参数名称
属性值
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
38 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
210nC @ 10V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
8500pF @ 25V
功率耗散(最大值)
1100W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-264
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
参数对比
与IXFK90N60X相近的元器件有:IXFX90N60X。描述及对比如下:
型号 IXFK90N60X IXFX90N60X
描述 MOSFET N-CH 600V 90A TO-264 MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247
FET 类型 N 沟道 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物) MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 90A(Tc) 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V 10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 38 毫欧 @ 45A,10V 38 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 8mA 4.5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 210nC @ 10V 210nC @ 10V
Vgs(最大值) ±30V ±30V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 8500pF @ 25V 8500pF @ 25V
功率耗散(最大值) 1100W(Tc) 1100W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔 通孔
供应商器件封装 TO-264 PLUS247™-3
封装/外壳 TO-264-3,TO-264AA TO-247-3
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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