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IXGH42N30C3

IGBT Transistors 42 Amps 300V

器件类别：半导体分立半导体

厂商名称：IXYS ( Littelfuse )

厂商官网：http://www.ixys.com/

参数参数对比

器件参数

参数名称

属性值

Product Attribute

Attribute Value

制造商
Manufacturer

IXYS ( Littelfuse )

产品种类
Product Category

IGBT Transistors

RoHS

Details

技术
Technology

Si

封装 / 箱体
Package / Case

TO-247AD-3

安装风格
Mounting Style

Through Hole

Configuration

Single

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

300 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.54 V

Maximum Gate Emitter Voltage

+/- 20 V

Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation

223 W

最小工作温度
Minimum Operating Temperature

- 55 C

最大工作温度
Maximum Operating Temperature

+ 150 C

系列
Packaging

Tube

Continuous Collector Current Ic Max

250 A

高度
Height

21.46 mm

长度
Length

16.26 mm

工作温度范围
Operating Temperature Range

- 55 C to + 150 C

宽度
Width

5.3 mm

Continuous Collector Current

42 A

Gate-Emitter Leakage Current

100 nA

工厂包装数量
Factory Pack Quantity

30

单位重量
Unit Weight

0.229281 oz

参数对比

与IXGH42N30C3相近的元器件有：。描述及对比如下：

型号	IXGH42N30C3
描述	IGBT Transistors 42 Amps 300V
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	IXYS ( Littelfuse )
产品种类 Product Category	IGBT Transistors
RoHS	Details
技术 Technology	Si
封装 / 箱体 Package / Case	TO-247AD-3
安装风格 Mounting Style	Through Hole
Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	300 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	1.54 V
Maximum Gate Emitter Voltage	+/- 20 V
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	223 W
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 150 C
系列 Packaging	Tube
Continuous Collector Current Ic Max	250 A
高度 Height	21.46 mm
长度 Length	16.26 mm
工作温度范围 Operating Temperature Range	- 55 C to + 150 C
宽度 Width	5.3 mm
Continuous Collector Current	42 A
Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	30
单位重量 Unit Weight	0.229281 oz

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