首页 > 器件类别 > 半导体 > 分立半导体

JANMXSMCGLCE54

1500 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AB
1500 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-214AB

器件类别:半导体    分立半导体   

厂商名称:Microsemi

厂商官网:https://www.microsemi.com

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
端子数量
2
元件数量
1
最大击穿电压
62.7 V
最小击穿电压
56.7 V
加工封装描述
塑料 PACKAGE-2
状态
DISCONTINUED
包装形状
矩形的
包装尺寸
SMALL OUTLINE
表面贴装
Yes
端子形式
C BEND
端子涂层
锡 铅
端子位置
包装材料
塑料/环氧树脂
工艺
AVALANCHE
结构
单一的
二极管元件材料
最大功耗极限
5 W
极性
单向
二极管类型
TRANS 电压 SUPPRESSOR 二极管
关闭电压
51 V
最大非重复峰值转速功率
1500 W
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
需要登录后才可以下载。
登录取消