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JANTXV1N4975US

Zener Diode, 51V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Defense Logistics Agency

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器件:JANTXV1N4975US

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器件参数
参数名称
属性值
包装说明
O-LELF-R2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
Is Samacsys
N
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JESD-30 代码
O-LELF-R2
元件数量
1
端子数量
2
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
5 W
认证状态
Qualified
参考标准
MIL-19500/356H
标称参考电压
51 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
最大电压容差
5%
工作测试电流
25 mA
Base Number Matches
1
参数对比
与JANTXV1N4975US相近的元器件有:JANTXV1N4976US。描述及对比如下:
型号 JANTXV1N4975US JANTXV1N4976US
描述 Zener Diode, 51V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 Zener Diode, 56V V(Z), 5%, 5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
包装说明 O-LELF-R2 O-LELF-R2
针数 2 2
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
Is Samacsys N N
外壳连接 ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 ZENER DIODE ZENER DIODE
JESD-30 代码 O-LELF-R2 O-LELF-R2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM
极性 UNIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散 5 W 5 W
认证状态 Qualified Qualified
参考标准 MIL-19500/356H MIL-19500/356H
标称参考电压 51 V 56 V
表面贴装 YES YES
技术 ZENER ZENER
端子形式 WRAP AROUND WRAP AROUND
端子位置 END END
最大电压容差 5% 5%
工作测试电流 25 mA 20 mA
Base Number Matches 1 1
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