K4D623237A-QC70,K4D623237A-QC70 pdf中文资料,K4D623237A-QC70引脚图,K4D623237A-QC70电路-Datasheet-电子工程世界

文档预览

K4D623237A

64M DDR SDRAM

64Mbit DDR SDRAM

512K x 32Bit x 4 Banks

Double Data Rate Synchronous DRAM

with Bi-directional Data Strobe and without DLL

Revision 1.2

February 2001

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev. 1.2 (Feb. 2001)

K4D623237A

Revision History

Revision 1.2 (February 1, 2001)

• Corrected timing diaram on page 28,32.

• Removed K4D623237A-QC50

64M DDR SDRAM

Revision 1.1 (July 12, 2000)

• Removed Block Write function. Accordingly pin number 52 must be connected to low ( MCL only )

• Removed Write Interrupted by Read function.

• Changed I

CC1

CC2N

CC3N

CC5

of K4D623237A-* in "DC Characteristics" table.

• Changed DC operating conditions

- V

REF

from 1.15V(min)/1.35V(max) to 0.49*V

DDQ

/0.51*V

DDQ

- V

from V

REF

+0.18(min)/V

REF

-0.18(max) to V

REF

+0.15(min)

REF

-0.15(max)

Revision 1.0 (May 16, 2000)

• Changed tCDLR from 1CLK to 2CLK

• Changed tRPST from 0.9/1.1tCK to 0.4/0.5tCK

• Changed tAC(max) and tACS(max) of K4D623237A-QC70 from 5.5ns to 6.0ns

Revision 0.1 (April 24, 2000) -

Preliminary

• Changed tCDLR from 2CLK to 1CLK

Revision 0.0 (Februray 2, 2000) -

Target

• Defined Target Specification

- 2 -

Rev. 1.2 (Feb. 2001)

K4D623237A

64M DDR SDRAM

512K x 32Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM

with Bi-directional Data Strobe and without DLL

FEATURES

• 3.3V

±5%

power supply for device operation

• 2.5V

±5%

power supply for I/O interface

• SSTL_2 compatible inputs/outputs

• 4 banks operation

• MRS cycle with address key programs

-. Read latency 3 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8 and Full page)

-. Burst type (sequential & interleave)

• Full page burst length for sequential burst type only

• Start address of the full page burst should be even

• All inputs except data & DM are sampled at the positive

going edge of the system clock

• Differential clock input

• Data I/O transactions on both edges of Data strobe

• Data input & output & DM are synchronized with DQS

• Edge aligned data & data strobe output

• Center aligned data & data strobe input

• DM for write masking only

• Auto & Self refresh

• 16ms refresh period (2K cycle)

• 100pin TQFP package

• Maximum clock frequency up to 183MHz

• Maximum data rate up to 366Mbps/pin

ORDERING INFORMATION

Part NO.

K4D623237A-QC55

K4D623237A-QC60

K4D623237A-QC70

Max Freq.

183MHz

166MHz

143MHz

Max Data Rate

366Mbps/pin

333Mbps/pin

286Mbps/pin

SSTL_2

100 TQFP

Interface

Package

GENERAL DESCRIPTION

FOR 512K x 32Bit x 4 Bank DDR SDRAM

The K4D623237 is 67,108,864 bits of hyper synchronous data rate Dynamic RAM organized as 4 x 524,288 words by 32

bits, fabricated with SAMSUNG

′

s high performance CMOS technology. Synchronous features with Data Strobe allow

extremely high performance up to 1.5GB/s/chip. I/O transactions are possible on both edges of the clock cycle. Range of

operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the device to be useful for a variety

of high performance memory system applications.

- 3 -

Rev. 1.2 (Feb. 2001)

K4D623237A

PIN CONFIGURATION

(Top View)

64M DDR SDRAM

DQ29

VSSQ

DQ30

DQ31

VSS

VDDQ

N.C

VSSQ

RFU

DQS

VDDQ

VDD

DQ0

DQ1

VSSQ

DQ2

100

A8(AP)

VDDQ

VSSQ

VREF

DQ28

DQ27

DQ26

DQ25

DQ24

DQ15

DQ14

DQ13

DQ12

DQ11

DQ10

MCL

VDD

DM3

DM1

DQ9

DQ8

CKE

VSS

N.C

A10

VDD

100 Pin TQFP

20 x 14

0.65mm pin Pitch

DQ3

DQ4

DQ5

DQ6

DQ7

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

DM0

DM2

BA0

VSS

CAS

RAS

VDDQ

VSSQ

VDDQ

VSSQ

VDDQ

VSSQ

PIN DESCRIPTION

CK,CK

CKE

RAS

CAS

DQS

DM0 ~ DM3

RFU

Differential Clock Input

Clock Enable

Chip Select

Row Address Strobe

Column Address Strobe

Write Enable

Data Strobe

Data Mask

Reserved for Future Use

, BA

~ DQ

DDQ

SSQ

MCL

Bank Select Address

Address Input

Data Input/Output

Power

Ground

Power for DQ

′

Ground for DQ

′

Must Connect Low

VDDQ

VDD

- 4 -

Rev. 1.2 (Feb. 2001)

BA1

K4D623237A

INPUT/OUTPUT FUNCTIONAL DESCRIPTION

Symbol

CK,

Input

Type

Function

64M DDR SDRAM

The differential system clock Input.

All of the inputs are sampled on the rising edge of the clock except

′

s and DM

′

s that are sampled on both edges of the DQS.

Activates the CK signal when high and deactivates the CK signal

when low. By deactivating the clock, CKE low indicates the Power

down mode or Self refresh mode.

CS enables the command decoder when low and disabled the com-

mand decoder when high. When the command decoder is disabled,

new commands are ignored but previous operations continue.

Latches row addresses on the positive going edge of the CK with

RAS low. Enables row access & precharge.

Latches column addresses on the positive going edge of the CK with

CAS low. Enables column access.

Enables write operation and row precharge.

Latches data in starting from CAS, WE active.

Data input and output are synchronized with both edge of DQS.

Data In mask. Data In is masked by DM Latency=0 when DM is high

in burst write. DM

for DQ

~ DQ

for DQ

~ DQ

15,

for

~ DQ

23,

for DQ

~ DQ

31.

Data inputs/Outputs are multiplexed on the same pins.

Selects which bank is to be active.

Row/Column addresses are multiplexed on the same pins.

Row addresses : RA

~ RA

, Column addresses : CA

~ CA

Column address CA

is used for auto precharge.

Power and ground for the input buffers and core logic.

Isolated power supply and ground for the output buffers to provide

improved noise immunity.

Reference voltage for inputs, used for SSTL interface.

Must be connected low

CKE

Input

RAS

CAS

DQS

~ DM

~ DQ

, BA

~ A

DDQ

SSQ

REF

MCL

Input

Input/Output

Input

Input/Output

Input

Power Supply

MCL

*1 : The timing reference point for the differential clocking is the cross point of CK and CK.

For any applications using the single ended clocking, apply V

REF

to CK pin.

- 5 -

Rev. 1.2 (Feb. 2001)

参数对比

与K4D623237A-QC70相近的元器件有：K4D623237A-QC700、K4D623237A-QC600、K4D623237A-QC550、K4D623237A-QC60、K4D623237A-QC55。描述及对比如下：

型号	K4D623237A-QC70	K4D623237A-QC700	K4D623237A-QC600	K4D623237A-QC550	K4D623237A-QC60	K4D623237A-QC55
描述	DDR DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100	DDR DRAM, 2MX32, 6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100	DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100	DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100	DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100	DDR DRAM, 2MX32, 5.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, 0.65 MM PITCH, TQFP-100
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	TQFP, TQFP100,.7X.9	TQFP,	TQFP,	TQFP,	TQFP, TQFP100,.7X.9	TQFP, TQFP100,.7X.9
针数	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	6 ns	6 ns	5.5 ns	5.5 ns	5.5 ns	5.5 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100	R-PQFP-G100
长度	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm	20 mm
内存密度	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit	67108864 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	32	32	32	32	32	32
功能数量	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	100	100	100	100	100	100
字数	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words	2097152 words
字数代码	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000	2000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C	65 °C
组织	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32	2MX32
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP	TQFP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE	FLATPACK, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	240	240	240	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V	3.465 V
最小供电电压 (Vsup)	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V	3.3 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm

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