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K4M513233C-DN7L

Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
Objectid
107066368
包装说明
FBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)
133 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PBGA-B90
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
32
端子数量
90
字数
16777216 words
字数代码
16000000
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
16MX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装等效代码
BGA90,9X15,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
电源
3/3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.18 mA
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
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