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K4M51323PC-DC75T

Synchronous DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
Objectid
1122315149
包装说明
FBGA, BGA90,9X15,32
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
6 ns
最大时钟频率 (fCLK)
133 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PBGA-B90
JESD-609代码
e3
内存密度
536870912 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
32
湿度敏感等级
1
端子数量
90
字数
16777216 words
字数代码
16000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
16MX32
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
FBGA
封装等效代码
BGA90,9X15,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, FINE PITCH
电源
1.8 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.0003 A
最大压摆率
0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)
1.8 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子面层
MATTE TIN
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
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